CWT MiniHF 06
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 06外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 06外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 1外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 3外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 6外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 15外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 30外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 60外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
CWT Mini和MiniHF是先進(jìn)的夾式交流Rogowski線圈,PEM羅氏線圈CWT MiniHF 150外形小巧,插入阻抗幾乎為零。CWT Mini的特點(diǎn)是高頻和低頻性能都有所提高。新的CWT MiniHF結(jié)合了創(chuàng)新的屏蔽式羅哥夫斯基線圈,對(duì)快速的本地dV/dt瞬變或大的50/60Hz電壓的干擾有很好的免疫力。
12-22 / 2025
PEM羅氏線圈CWT Mini50HF 015是CWT MiniHF系列的特殊版本。CWT Mini50HF針對(duì)更快的開關(guān)器件(如SiC )進(jìn)行了優(yōu)化,具有50MHz的高頻( -3dB )帶寬和100mm線圈,厚度僅為3.5mm ( 2kV峰值損壞)。
12-22 / 2025
PEM羅氏線圈CWT Mini50HF 03是CWT MiniHF系列的特殊版本。CWT Mini50HF針對(duì)更快的開關(guān)器件(如SiC )進(jìn)行了優(yōu)化,具有50MHz的高頻( -3dB )帶寬和100mm線圈,厚度僅為3.5mm ( 2kV峰值損壞)。
12-22 / 2025